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產品分類

Product Categories
低內阻NMOS管 60N02 PDFN5X6-8L
低內阻NMOS管 60N02 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:60N02
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:低內阻NMOS管 60N02 PDFN5X6-8L 國產替代MOS 20V/60A 場效應管
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


低內阻NMOS管 60N02 PDFN5X6-8L 國產替代MOS 20V/60A 場效應管



低內阻NMOS管 60N02的主要特點:

  • VDS=20V

  • ID=60A

  • RDS(ON)<6mΩ@VGS=4.5V(Type:4.8mΩ)

  • 封裝外形:PDFN5X6-8L



低內阻NMOS管 60N02的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓20V
VGS柵極-源極電壓±12
ID漏極電流-連續 TA=2560A
漏極電流-連續 TA=70℃39
IDM漏極電流-脈沖200
PD總耗散功率 TA=25℃37W
EAS單脈沖雪崩能量47.6mJ
TSTG存儲溫度-55~+175
TJ工作結溫-55~+175
RθJA結到環境的熱阻25℃/W
RθJC
結到管殼的熱阻4



低內阻NMOS管 60N02的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓2024
V
RDS(ON)

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=30A


4.86.5

靜態漏源導通電阻

VGS=2.5V,ID=20A


8.210
VGS(th)
柵極開啟電壓0.50.71.2V
IDSS

零柵壓漏極電流



1uA
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
23
nC
Qgs柵源電荷密度
4.5
Qgd柵漏電荷密度
7.3
Ciss輸入電容
1832
pF
Coss輸出電容
289
Crss反向傳輸電容
271
td(on)開啟延遲時間
15
ns
tr開啟上升時間
37
td(off)關斷延遲時間
52
tf
開啟下降時間
21

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