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產品分類

Product Categories
10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET
10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10N03
產品封裝:SOT89-3L
產品標題:貼片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 國產場效應管
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


貼片NMOS管 10N03 SOT89-3L 30V/10A 快充用MOSFET 國產場效應管



貼片NMOS管 10N03的主要特點:

  • VDS=30V

  • ID=10A

  • RDS(ON)<20mΩ@VGS=10V(Type:17mΩ)

  • 封裝形式:SOT89-3L



貼片NMOS管 10N03的應用領域:

  • 鋰電池保護

  • 手機快充



貼片NMOS管 10N03的極限參數:

(如無特殊說明,TC=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:10A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:30A

  • 總耗散功率 PD:1W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:125℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:85℃/W



貼片NMOS管 10N03的電特性:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓3032
V
RDS(ON)

靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=5.8A


1720

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=5A


2532
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
11.5
nC
Qgs柵源電荷密度
1.6
Qgd柵漏電荷密度
2.9
Ciss輸入電容
860
pF
Coss輸出電容
84
Crss反向傳輸電容
70
td(on)開啟延遲時間
5
ns
tr開啟上升時間
47
td(off)關斷延遲時間
26
tf
開啟下降時間
8


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