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產品分類

Product Categories
汽車充電用NMOS 68N03 PDFN5X6-8L
汽車充電用NMOS 68N03 PDFN5X6-8L
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:68N03
產品封裝:PDFN5X6-8L
產品標題:汽車充電用NMOS 68N03 PDFN5X6-8L 30V低壓場效應管 MOSFET引腳
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


汽車充電用NMOS 68N03 PDFN5X6-8L 30V低壓場效應管 MOSFET引腳



汽車充電用NMOS 68N03的主要特點:

  • VDS=30V

  • ID=68A

  • RDS(ON)<6mΩ@VGS=10V(Type:4.8mΩ)

  • 封裝外形:PDFN5X6-8L



汽車充電用NMOS 68N03的產品應用:

  • 降壓和增壓

  • 汽車充電



汽車充電用NMOS 68N03的產品極限值:

(如無特殊說明,TA=25℃)

  • 漏極-源極電壓 VDS:30V

  • 柵極-源極電壓 VGS:±20V

  • 漏極電流-連續 ID:68A

  • 漏極電流-脈沖 IDM:150A

  • 單脈沖雪崩能量 EAS:28.8mJ

  • 雪崩電流 IAS:24A

  • 總耗散功率 PD:24W

  • 存儲溫度 TSTG:-55~150℃

  • 工作結溫 TJ:-55~150℃

  • 結到環境的熱阻 RθJA:25℃/W

  • 結到管殼的熱阻 RθJC:5.2℃/W



汽車充電用NMOS 68N03的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓30

V
RDS(ON)

靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=20A


4.86

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=15A


6.99
VGS(th)
柵極開啟電壓1.21.62.5V
IGSS柵極漏電流

±100nA
Qg柵極電荷
8
nC
Qgs柵源電荷密度
2.4
Qgd柵漏電荷密度
3.2
Ciss輸入電容
814
pF
Coss輸出電容
498
Crss反向傳輸電容
41
td(on)開啟延遲時間
7.1
ns
tr開啟上升時間
40
td(off)關斷延遲時間
15
tf
開啟下降時間
6


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