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產品分類

Product Categories
10N04 SOT89-3L 40V/10A 低壓NMOSFET
10N04 SOT89-3L 40V/10A 低壓NMOSFET
產品品牌:宇芯微
產品類型:中低壓MOS管
產品型號:10N04
產品封裝:SOT89-3L
產品標題:汽車照明MOS管 10N04 SOT89-3L 40V/10A 低壓NMOSFET 國產替換
咨詢熱線:0769-89027776

產品詳情


汽車照明MOS管 10N04 SOT89-3L 40V/10A 低壓NMOSFET 國產替換



汽車照明MOS管 10N04的產品應用:

  • 汽車照明

  • 負載開關

  • UPS 不間斷電源



汽車照明MOS管 10N04的產品引腳圖:

image.png



汽車照明MOS管 10N04的極限值:

(如無特殊說明,TC=25℃)

符號參數數值單位
VDS漏極-源極電壓40V
VGS柵極-源極電壓±20
ID漏極電流-連續(TA=25℃)10A
漏極電流-連續(TA=70℃)6.7
IDM漏極電流-脈沖50
EAS單脈沖雪崩能量31mJ
IAS雪崩電流25A
PD總耗散功率 TA=25℃1.9W
TSTG存儲溫度-55~150
TJ工作結溫-55~150
RθJA結到環境的熱阻125℃/W
RθJC結到管殼的熱阻15



汽車照明MOS管 10N04的電特性:

(如無特殊說明,TJ=25℃)

符號
參數MIN值TYP值MAX值單位
BVDSS漏極-源極擊穿電壓4044
V
RDS(ON)靜態漏源導通電阻

VGS=10V,ID=7A


1822

靜態漏源導通電阻

VGS=4.5V,ID=6A


2330
VGS(th)
柵極開啟電壓11.42.5V
IDSS

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=25℃



1uA

零柵壓漏極電流

VDS=32V,VGS=0V,TJ=55℃



5
IGSS

柵極漏電流



±100nA
Qg柵極電荷
9.8
nC
Qgs柵源電荷密度
2.8
Qgd柵漏電荷密度
3.9
Ciss輸入電容
1013
pF
Coss輸出電容
107
Crss反向傳輸電容
76
td(on)開啟延遲時間
2.8
ns
tr開啟上升時間
40.4
td(off)關斷延遲時間
22.8
tf
開啟下降時間
6.4


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